Ionensensitiver Feldeffekttransistor (ISFET)

Ionensensitiver Feldeffekttransistor (ISFET)

Im Bereich Chemosensorik entwickelt das Fraunhofer IPMS Sensoren für die Detektion von Ionenkonzentrationen und Leitfähigkeiten in wässrigen Lösungen.

  • Design und Entwicklung von ISFET-Chips und Wafer-Teststrukturen
  • Messtechnische Prüfung und Charakterisierung auf Waferlevel (Modellierung zur Sensorarbeitspunktprognose, Schichtcharakteriserung und Waferbereich-Bewertung)
  • Entwicklung und Design von Aufbau- und Verbindungstechnologien zum Einsatz als Sensor (Modulkonzept) inklusive Untersuchungen und Entwicklungen zur polymertechnischen Isolation von ISFET-Chips und der Bewertung und Prüfung von Sensordichtungen
  • Messtechnische Prüfung und Charakterisierung in wässriger Lösung (pH0-14, 0-95°C) mit der Entwicklung, Erprobung und Automatisierung von Mess- und Charakterisierungsabfolgen
  • Entwicklung und Pilotfertigung von ISFET-Chips für die Integratoren, Systementwickler und Industrie. Haupteinsatzgebiete sind Umweltsensorik, Indoorfarming, Land- und Gewässerwirtschaft sowie Lifestyle- und Healthcare-Produkte.
  • Entwicklung und Pilotfertigung von ISFET-Arrays auf Basis ein n-Wannen Technologie
  • Entwicklung und Pilotfertigung von Ionenselektiven ISFETs

 

Sensor-Chip-Parameter

  • Chipgröße: 5x5 mm2
  • Arbeitspunkt: z. B. VDS - 0,5 V; IDS = 190...170 µA
  • Referenzelektrode wird benötigt
  • Fraunhofer IPMS n-Well ISFET ermöglicht mehrere separate ISFETS auf einem Chip

 

Parameter Min Typ Max Bedingung Einheit
Sensitivität 56 58,2 60 20 °C mV/pH
Drift   20 40 ph 7 µV / h
Reaktionszeit (Genauigkeit 0,02 pH)   5 8 pH 4-7 (bei 25 °C) s
Temperatur 5   80 pH 1-13 °C
pH range 1   13   pH
Druck 10   100   kPa
© Fraunhofer IPMS
Nahaufnahme einer Platine mit Ionensensitiven Feldeffekttransistoren (ISFET)
© Fraunhofer IPMS
Ionensensitiver Feldeffekttransistor (ISFET)

Leitfähigkeitssensor

Quadrupol für kapazitive und konduktive Messverfahren

  • Design und Entwicklung von CMOS-kompatiblen Leitfähigkeitssensorstrukturen
  • Design und Integration der Leitfähigkeitssensorstruktur in pH-Sensorsystemen
  • Messtechnische Erprobung und Charakteriserung
  • Design und Entwicklung von Schaltungen zur Integration der AC-Leifähigkeitssensorik in den DC-pH-Sensor

Einsatzgebiete

  • Umweltsensorik
  • Gewässerüberwachung
  • Abwassertechnik
  • Mikrofluidik
  • Sportmedizin/Körpersensorik 

Aufbau

  • Si-Wafer mit SiO2
  • Leitstrukturen aus Al + Tantal
  • Passivierung der Oberfläche durch Tantalpentoxid (Ta2O5)

 

Temperatursensor

  • Design und Entwicklung von CMOS-kompatiblen Temperatursensorstrukturen und Teststrukturen
  • Messtechnische Erprobung und Charakterisierung
  • Design und Integration der Temperatursensorstruktur in pH-Sensoren bzw. Leitfähigkeitssensoren
  • Design und Entwicklung von Schaltungen zur Integration der Temperatursensorik in den pH-Sensor/Leitsensor

Downloads

Datenblatt

Ionensensitiver Feldeffekttransistor (ISFET)

Sensoren für die Messung des pH-Wertes

Datenblatt

Elektrochemischer Analytikchip

Datenblatt

Electrochemical analysis chip 7 + 8: chip level measurement

Anwendungen und Projekte:

Projekt "REAL"

Ressourcenschonende Elektrochemische Analytik

Projekt "Pummel"

Point of Use Micro-Multichannel-Gas-Chromatograph

Projekt "REISen"

Ressourcen- und Energieschonende ISFET basierte Sensorik

Anwendung

Atemluftanalyse

Pressemitteilung

Innovation in der Sensorik

Neuentwicklung einer pH-Sensorschicht erfolgreich in ISFET integriert.

ISFET Evalutation-Kit - vorgestellt von Dr. Olaf Hild auf der Sensor+Test 2025

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