Speichertechnik

Mit dem Center Nanoelectronic Technologies (CNT) betreibt das Fraunhofer IPMS angewandte Forschung auf 300-mm-Wafern für Mikrochipproduzenten, Zulieferer, Gerätehersteller und F&E-Partner. Geforscht wird an Themen wie 300-mm-Technologiemodulen, Testchips, Energiespeicherung und Speichertechnologien der nächsten Generation. In diesem Abschnitt finden Sie Informationen zur Speichertechnologie.

Bitte wählen Sie:

 

Ferroelektrischer Feldeffekttransistor (FeFET) und Ferroelectric RAM (FRAM)

 

Magnetoresistive RAM (MRAM)

Resistive Random Access Memory (RRAM)

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Ferroelectric Field Effect Transistor (FeFET) Memory Concept