Resistive Random Access Memory (RRAM)

FRAM-Speicher sind ein vielversprechender Kandidat für zukünftige nichtflüchtiger Speicheranwendungen mit ultraniedriger Leistungsaufnahme. Am Fraunhofer IPMS werden deshalb Hafniumoxid-basierte Ferroelektrika auf ihren Einsatz in der CMOS-Chipherstellung hin untersucht. Für die Untersuchung wurde ein 64-Bit-Hafniumoxid-basierter FRAM-Demonstrator entwickelt, mit einem anwendungsspezifischen-integrierten Schaltkreis (ASIC). Das System verfügt über eine I²C-Schnittstelle ermöglicht industrielle Standardtests für die weiteren Untersuchungen der Schlüsselparameter: Speicherungseigenschaft, Speicherdauer und Störanfälligkeit in Speichermatrizen.

Eigenschaften von FRAM:

• Nichtflüchtiger Speicher
• Umweltfreundlichens, bleifreies Material
• CMOS-kompatibel und skalierbar
• Schnelle Schreib-/Leseoperationen (im Nanosekungenbereich)
• Geringer Stromverbrauch und geringer Spannungsbereich
• 10 Jahre Speicherungssicherheit