Ferroelektrische Hafniumoxid-Varaktoren für tunebare aktive Millimeterwellen-Bauelemente

Projekt FerroTUNE

Laufzeit: 2025 - 2026

Schema der BEoL-Integration von ferroelektrischem HfO2 in eine herkömmliche CMOS-Technologie. Auf diese Weise kann es für die Entwicklung aktiver Bauelemente wie Oszillatoren verwendet werden, die wichtige Bausteine in HF- und mmWave-Netzwerken sind und potenzielle Anwendungen in 5G- und 6G-Technologien haben.
© FerroTUNE
Schema der BEoL-Integration von ferroelektrischem HfO2 in eine herkömmliche CMOS-Technologie. Auf diese Weise kann es für die Entwicklung aktiver Bauelemente wie Oszillatoren verwendet werden, die wichtige Bausteine in HF- und mmWave-Netzwerken sind und potenzielle Anwendungen in 5G- und 6G-Technologien haben.

Am Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (IPMS) entwickeln Forschende im Projekt FerroTUNE innovative Hochfrequenzbauelemente auf Basis von ferroelektrischem Hafniumoxid (HfO₂). Diese neuartigen Komponenten sollen dazu beitragen, drahtlose Kommunikationstechnologien wie 5G und 6G deutlich leistungsfähiger und energieeffizienter zu gestalten.

Im Mittelpunkt des Projekts steht die Entwicklung eines spannungsgesteuerten Oszillators, der für die Signalerzeugung und -modulation entscheidend ist. Er gewährleistet die Synchronisation, Kommunikation mit geringer Latenz und stabile Signalerzeugung über mehrere Frequenzbänder hinweg. Diese Eigenschaften sind für moderne drahtlose Netzwerke wie 5G und das aufkommende 6G von entscheidender Bedeutung.

Darüber hinaus eröffnen sich weitere Einsatzmöglichkeiten in Phasenschiebern, Radarsystemen, der Satellitenkommunikation sowie im Bereich des Internets der Dinge (IoT)

Fraunhofer IPMS im Projekt FerroTUNE

Im Projekt entwickelt und validiert das Fraunhofer IPMS Bauelemente auf der Grundlage ferroelektrischer Dünnschicht-Hafniumoxid-Varaktoren. Das primäre aktive Bauelement zur Demonstration wird ein spannungsgesteuerter Oszillator (VCO) sein.

Die wichtigsten Schwerpunkte sind:

  • Chipdesign und Implementierung: Entwicklung aktiver Hochfrequenzbauteile wie Oszillatoren und Phasenschieber in CMOS-Technologie, mit Blick auf eine kompakte, leistungsfähige Umsetzung
  • BEoL-Integration und Validierung: Einbindung von Hafniumoxid-Varaktoren in die Back-End-of-Line-Schichten (BEoL) der CMOS-Fertigung, Abstimmung mit Industriekunden zur späteren Fertigung
  • Charakterisierung: Erforschung, wie gut diese Bauteile bei Hochfrequenz arbeiten, wie gut sie sich steuern lassen und wie zuverlässig sie Temperaturwechsel aushalten
  • Systemintegration: Einbindung der Bauelemente in Schaltungen und enge Abstimmung mit Partnern für reale Anwendungstests

Unser Ziel ist es, zu integrierten Chip-Systemen mit einem Reifegrad von TRL 5 vorzustoßen.

Durch den Einsatz von ferroelektrischem Hafniumoxid kann eine höhere Energieeffizienz erreicht werden. Die Bauelemente werden miniaturisiert und sind weniger anfällig für Temperaturschwankungen. Eine erhöhte Linearität in der Abstimmung führt außerdem zu erheblichen Fortschritten in der Bauelemente-Architektur. Da sie außerdem in CMOS-Technologie gefertigt werden können, was dem industriellen Standard in der Mikroelektronik-Fertigung entspricht, ergibt sich eine ideale Skalierbarkeit und Kosteneffizienz.

Weitere Informationen

Fraunhofer IPMS

300 mm Mikro- und Nanoelektronik: RF-Charakterisierung

 

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