Modernste Prozesstechnik für 200 und 300 mm Wafer
Wo bin ich?
Abscheidung mittels CVD, PVD, ALD und Epitaxie (EPI) für 200 mm und 300 mm verfügbar.
Röntgenfluoreszenzanalyse (RXRF), Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Inline-Charakterisierung für 200 mm und 300 mm.
Backend-Assembly, Wafer-Bonden, Dicing, Packaging und Heterointegration für 200 mm.
CMP-Prozessentwicklung für neue Materialien zur Erfüllung der Anforderungen der nächsten Technologiegenerationen für 200 mm und 300 mm.
Präzise Nanostrukturierung für 200-mm- und 300-mm-Wafer – von E-Beam-Lithografie bis sub-40-nm-Strukturen für moderne Halbleiteranwendungen.
Screening and optimization of new chemicals and processes from laboratory scale up to 2x nm node test wafer evaluation for 200 mm and 300 mm.
200-mm-Tiefenreaktionsionenätzen (Deep Reactive Ion Etching, DRIE) von Metallen, Oxiden, Nitriden usw.
300-mm-ECD-Prozessentwicklung für die galvanische Abscheidung von Metallschichten durch Elektrolyt-Screening, Untersuchung der Badstandzeit sowie Prozesscharakterisierung.
Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme