Richtfest für das Center for Advanced CMOS and Heterointegration Saxony

Pressemitteilung /

Das Center for Advanced CMOS and Heterointegration Saxony (kurz: CEASAX) feiert das Richtfest seines neuen Bürogebäudes. CEASAX ist ein Leuchtturm der Halbleiterforschung und gründet sich auf die Bündelung der Kompetenzen des Fraunhofer IPMS und des Fraunhofer IZM-ASSID. Die Institute bieten hier die komplette Wertschöpfungskette in der 300-mm-Mikroelektronik und damit die Voraussetzung für Hightech-Forschung für Zukunftstechnologien im Land Sachsen.

© heinlewischer Architekten Dresden
Visualisierung für den Neubau im Dresdner Norden.
© Fraunhofer IPMS
Reinraum des Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony.

Die Veranstaltung begann mit einer herzlichen Begrüßung durch die Institutsleiter des Fraunhofer IPMS, Prof. Dr. Harald Schenk und Prof. Dr. Hubert Lakner. Auch die Standortleiterin des Fraunhofer IZM-ASSID, Dr. Manuela Junghähnel, war vor Ort und sieht in der Stärkung der gemeinsamen Fraunhofer-Kompetenz am gemeinsam genutzten Gebäude eine große Chance zur Weiterentwicklung der 300-mm-Wafer-Technologien. Lakner hebt die Bedeutung des Ausbaus für den Technologiestandort Sachsen hervor: »Im CEASAX bündeln sich die Stärken der beiden einzigen deutschen Forschungszentren für angewandte Mikroelektronikforschung, die auf Basis von 300 mm Wafer-Industriestandard forschen. Im Rahmen des European Chips Acts sind diese Stärken wichtiger denn je. Der Neubau ermöglicht uns im wahren und im übertragenen Sinne Platz für herausragende Mikroelektronikforschung.«

Ministerpräsident Michael Kretschmer betonte: »Die Fraunhofer-Gesellschaft ist ein wichtiger Bestandteil der sächsischen Forschungslandschaft. Gerade auch das Center Nanoelectronic Technologies steht für Kreativität, neue Ideen und Zusammenarbeit. Es ist gut, dass hier ein gemeinsamer Raum für Forschungen durch die beiden Institute IPMS und IZM-ASSID entsteht, die in der bundesweiten Forschungslandschaft eine einzigartige Kompetenz im Bereich der 300-mm-Wafer im Industriestandard haben. Die hier geleistete Arbeit wird dabei helfen, viele weitere Projekte bei uns im Silicon Saxony zu starten und erfolgreich voranzubringen. So stärken wir dauerhaft Sachsens Forschung, aber auch unsere Wirtschaft insgesamt. Genau aus diesen Gründen unterstützt der Freistaat dieses wichtige Projekt.«

Wissenschaftsminister Sebastian Gemkow ergänzte: »Dieser entstehende Neubau und die Unterstützung von zukunftsweisenden Forschungsthemen wie der Mikroelektronik durch den Freistaat Sachsen wirken eng zusammen, wenn es darum geht, die Entwicklung in der Region voranzutreiben. Wissenschaftliche Exzellenz weiterzuentwickeln und gleichzeitig den Transfer von Ergebnissen in die Praxis fest im Blick zu haben, ist uns ein zentrales Anliegen. Hierfür braucht es Raum und Kommunikation. Für beides wird der Neubau hier am Standort stehen.«

Nach den Ansprachen folgte der traditionelle Richtspruch, bei dem symbolisch der erfolgreiche Baufortschritt gefeiert wurde.

© Fraunhofer IPMS
Dr. Manuela Junghähnel, Leiterin des Fraunhofer IZM-ASSID, Dr. Wenke Weinreich, Leiterin des Bereichs Center Nanoelectronic Technologies, Ministerpräsident Michael Kretschmer und Prof. Harald Schenk, Institutsleiter des Fraunhofer IPMS, schlagen symbolisch die letzten Nägel ein.
© Fraunhofer IPMS
Der Richtspruch erfolgte durch die Firma Karl Köhler
© Fraunhofer IPMS
Ministerpräsident Michael Kretschmer sprach ein Grußwort.