300 mm Wafer Services

Für die Großserienfertigung (HVM) von Halbleiterbauelementen wie Mikroprozessoren ist jeder einzelne Prozessschritt für die Evaluierung und Optimierung von Interesse. Testfahrzeuge und Testwafer sind unerlässlich, um Entwicklungen und neue Materialien unter Produktionsbedingungen zu testen. Testwafer ermöglichen es den Wissenschaftlern, schnell auf Prozessänderungen zu reagieren und Chemikalien oder Prozesse vom "Labor in die Fabrik" für HVM zu transferieren.

Das Fraunhofer IPMS - Center Nanoelektronische Technologien (CNT) forscht intensiv an der Herstellung und Optimierung von Halbleiterbauelementen und bietet eine Vielzahl von Vorteilen.

Unstrukturiere (Blank) Wafer

© Fraunhofer IPMS
Unstrukturierter 300 mm-Wafer

Silizium basierte Layer

SiO₂ (thermal or chemical formed oxide)
Organo silicate glass (SiCOH/ULK) [porous]
SiGe
Doped amorphous Si and poly Si (P, B)

Metalle

PVD: Ta(N), Ti(N), Cu
CVD: Co
ECD: Co, Cu

ALD basierte Oxide and Nitride

Al₂O₃
HfO₂ (doped)
ZrO₂
weitere Materialien auf Anfrage

Strukturierte Wafer

© Fraunhofer IPMS
Strukturierter 300 mm-Wafer

Teststrukturen für verschiedene Prozesse unter ≤ 28 nm-Technologie-Knoten

CMP | Galvanisierung | Reinigung
Dünne Schichten | STI

Teststrukturen für funktionale Schichten

Speicheranwendungen
MIS/MIM-Strukturen

Kundenspezifische Layout-Implementierung / E-Beam-Lithographie-Nanopatterning

Komplementärer Mix & Match
Kleinvolumige Serien

Teststrukturen für BEOL / Wafel Level Packaging (IZM-ASSID)

TSV Test Wafers
Si-Interposer mit Cu-TSV
Fine-Pitch-Flip-Verbindungen
Tests für Chip-zu-Wafer- / Chip-zu-Chip- / Chip-zu-Substrat-Bonden

Metrologie

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EFTEM (Energiegefilterte Transmissionselektronenmikroskopie)

Schichtdicke und Gleichmäßigkeit (4-Punkt-Sondierung, Ellipsometrie, XRR, hochauflösende Profillometrie)
Filmmorphologie und -struktur (AFM [3D], XRD, Oberflächenprüfung, SEM, TEM, Porosimetrie)
Chemische Zusammensetzung & Verunreinigung (ToF-SIMS, XPS, TXRF, EELS, VPD-ICP-MS)
Patterned Defekt-Inspektion
Elektrochemische Überwachung von Elektrolytlösungen und Zusatzstoffen (CVS, LP, EIS, usw.)
Elektrische Charakterisierung von Funktionsschichten und Schichtstapeln (Halbautomatische Sondierung)