OFETs werden für verschiedene Anwendungen genutzt, darunter flexible Displays, intelligente Sensoren, organische Photovoltaik und gedruckte Elektronik.
OFET-Substrate auf Siliziumbasis bilden eine hochgenau strukturierte Grundlage für die Herstellung von organischen Feldeffekttransistoren (OFETs) und erlauben die Abscheidung von organischen Halbleiterschichten, die die elektronischen Eigenschaften des OFETs bestimmen. Die so entstehenden OFETs sind durch die Anpassbarkeit der Materialien sowie Source- und Drain-Kontakte flexibel gestaltbar.
Aufgrund der Zuverlässigkeit und der reproduzierbaren Präparation sind diese Substrate weltweit bei allen großen Entwicklern von organischen Halbleitermaterialien im Rahmen der standardisierten Materialüberwachung im Einsatz.
Der Si-Bulk übernimmt die Gate-Funktion und kontrolliert den Stromfluss zwischen den Source und Drain Goldelektroden. Ein passend dotiertes Si-SiO2-Interface in CMOS-Qualität garantiert einen reproduzierbaren Gatekontakt. Die Goldelektroden mit patentierter Haftschicht unterdrücken auch für p-leitende Halbleiter die Ausbildung von Injektionsbarrieren zwischen den Goldelektroden und der Organik im Transistorkanal, so dass sich zuverlässige ohmsche Source / Drain-Kontakte im back-gated OFET ausbilden.
Im Standardlayout werden auf 200 mm-Wafern je 60 Chips der Größe 15 × 15 mm² mit insgesamt 960 einzelnen Transistorstrukturen realisiert. Auf jedem Chip befinden sich vier Gruppen mit je vier identischen Transistoren der Kanallängen 2.5, 5, 10 und 20 µm. Identische Layouts mit abgestufter Kanalweite sowie die flexible Wahl der Oxiddicke erlauben die Anpassung an einen weiten Spannungs- und Leitfähigkeitsbereich der untersuchten Materialien. Kundenspezifische Layouts mit veränderter Elektrodengeometrie sind jederzeit möglich.