Fraunhofer IPMS Technologien

Das Fraunhofer IPMS entwickelt Technologien zur Herstellung von MEMS- und MOEMS-Produkten. Basierend auf diesen Technologien bietet das Fraunhofer IPMS die Pilotfertigung von MEMS- und MOEMS-Produkten an, wobei produktspezifische Modifikationen möglich sind.

Gleichzeitig wird die Entwicklung kundenspezifischer Technologien (COT) auf Basis vorhandener, modifizierter oder speziell zu entwickelnder Technologiemodule angeboten

Technologie für resonante MEMS-Scanner (AME75)

Gelenk eines resonanten translatorisch ausgelenkten MEMS-Scanners
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Gelenk eines resonanten translatorisch ausgelenkten MEMS-Scanners.

AME75 ist eine im Fraunhofer IPMS entwickelte Basistechnologie für resonante MEMS-Scanner mit horizontalem Kammantrieb.

Diese Basistechnologie wird zur Herstellung von kundenspezifischen resonanten MEMS-Scannern mit rotatorischer (ein-und zweidimensional) und translatorischer Auslenkung mit einem breiten Parameterfeld verwendet.

Webseite: Konfigurator für VarioS® Mikroscanner-Bauelemente

Technologie für quasistatische MEMS-Scanner (LinScan)

Vertikaler Kammantrieb
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Vertikaler Kammantrieb.

Die Technologie LinScan dient der Herstellung von quasistatischen MEMS-Scannern, die beispielsweise für 2D-Vektorscan-Anwendungen oder optische Schalter eingesetzt werden. Für die quasistatische Auslenkung sind vertikale Kammantriebe erforderlich. Zur Herstellung vertikaler Kammantriebe wird ein Wafer mit Pfosten auf einen Wafer mit horizontalen Kämmen gebondet. Über geeignete Gelenke erfolgt eine statische Vorauslenkung, d. h. vertikale Kammantriebe.

Technologie für monolithisch integrierte Mikrospiegelarrays (EPSILON)

Querschnitt eines Pixels bestehend aus CMOS-Backplane und Spiegel
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Querschnitt eines Pixels bestehend aus CMOS-Backplane und Spiegel (Pitch 16 µm).

Die Technologie C5090M dient der Herstellung von monolithisch integrierten Flächenlichtmodulatoren.

Diese komplexe Technologie besteht aus dem am Fraunhofer IPMS entwickelten HV-CMOS-Prozess und einer MEMS-Technologie. Dabei werden die MEMS-Strukturen mittels Opferschichttechnologie im Anschluss an den CMOS-Prozess auf dem CMOS-Substrat hergestellt.

Drucksensortechnologie (SDE11)

Wafer mit Drucksensoren
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Wafer mit Drucksensoren.

SDE11 wurde am Fraunhofer IPMS zur Herstellung von piezoelektrischen Differenzdrucksensoren entwickelt.

Die piezoelektrische Brücke ist in elektrisch isoliertem Polysilizium ausgeführt. Zur Stabilisierung wird der Siliziumchip auf einen Glaswafer gebondet.

Fotodiode

Spektrale Empfindlichkeit einer Fotodiode
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Spektrale Empfindlichkeit einer Fotodiode.

Die am Fraunhofer IPMS entwickelten Fotodioden, bei denen sich Dioden-und Substratanschluss auf der Wafervorderseite befinden, zeichnen sich durch geringe Dunkelströme (typ. 5 nA/mm² bei 125 °C und 2,5 V) aus. Die Kombination dieser Fotodiodentechnologie mit typischen MEMS-Strukturen wie Gruben oder Schlitzen in Silizium ermöglicht die Entwicklung von spezifischen optischen Messsystemen. Die Grafik zeigt die spektrale Empfindlichkeit einer Fotodiode, die von Fraunhofer IPMS auf Kundenanforderung entwickelt wurde.

Technologie für kapazitive mikromechanische Ultraschallwandler (CMUT)