Unsere MEMS-Fähigkeiten

MEMS-Fähigkeiten

Der Reinraum des Fraunhofer IPMS ist mit seinem qualifizierten Team und den  industrienahen Anlagen für die Forschung und Entwicklung im Bereich von MEMS und MOEMS-Bauelementen ideal augestellt. Neben dem tiefgreifenden Verständnis von elementaren MEMS-Fertigungsverfahren, gepaart mit moderner Anlagentechnik sind wir der perfekte Partner für die Entwicklung von Technologien.

Der Reinraum des Fraunhofer IPMS ist mit seinem qualifizierten Team und den  industrienahen Anlagen für die Forschung und Entwicklung im Bereich von MEMS und MOEMS-Bauelementen ideal augestellt. Neben dem tiefgreifenden Verständnis von elementaren MEMS-Fertigungsverfahren, gepaart mit moderner Anlagentechnik sind wir der perfekte Partner für die Entwicklung von Technologien.

Oberflächen Mikromechanik

Mittels Opferschicht-Technologie ist das Fraunhofer IPMS in der Lage, Aktoren und Sensoren wie Flächenlicht-Modulatoren (SLM) und kapazitive Ultraschall-Sensoren (CMUT) zu fertigen. Die dem Fraunhofer IPMS zur Verfügung stehenden Prozesse und Technologiemodule für diese hochkomplexen Bauteile sind:

  • Pe-CVD für TEOS, HDP und a:Si
  • Fünf-Zoenen-CMP für hohe Planarität
  • Anti-Haftreibung für komplexe Zuverlässigkeit
  • PVD für Scharbiere und Spiegel mit Stresstuning
  • ALD für Barriereschichten
  • HF und XeF2 
  • GPE Release 

Volumenmikromechanik

Ob hochpräzise Spiegel oder das einzigartige Nano-E-Drive-Antriebsprinzip, welches vom Fraunhofer IPMS entwickelt wurde: diese Aktoren basieren auf tiefgeätzten Siliziumstrukturen mit großen Aspekt-Verhältnissen (> 40). Neben den Kompetenzen der Oberflächenmikromechanik stehen weiterführend folgende Module zur Verfügung:

  • Grinder for Thinning
  • PVD for high reflective coatings
  • Wafer Bonding for quasi-static movement
  • Deep Silicon Etch realizing comb drives
  • TMAH Etch for backside opening
  • Trench filling for isolation
  • B-SOI as base wafer material

Monolitische MEMS-on-CMOS Integration

Die monolithische Integration von MEMS auf CMOS ist eine Integrationstechnologie zur Herstellung von integrierten Systemen auf Wafer-Level. Das Fraunhofer IPMS entwickelt und fertigt monolithisch integrierte MEMS zur Minimierung parasitärer Effekte. Mit dieser Technologie können speziell große Bauelemente mit einer hohen Integrationsdichte zuverlässig realisiert werden. Beispiele sind dabei SLMs, Thermopile- und CMUT-Arrays.

Aktives Silizium

Das Fraunhofer IPMS fertigt Bauelemente auf Wafer-Level, welche die chemischen und physikalischen Eigenschaften von funktionalen Schichten ausnutzen, bspw. beim ionensensitiven Feldeffekttransistor für die Messung von pH-Werten.

  • Thermal oxidation for gateoxide (SiO2)
  • Annealing (RTP/RTA)
  • TMAM Etch for backside opening
  • Depostion of active layers (e.g. Ta2O5)